PFCアプリケーション

製品情報
- 整流デバイス
  - ブリッジ
    
    ソフトブリッジ
    
    製品情報
    
    ダイオード Ta/Tbのソフトリカバリ特性（オン時間 / オフ時間）を最適化することで、高調波発振の発生を大幅に低減する、ブリッジ周辺のEMI対策部品点数を減少できるし、部品用量を低減出来る。
    
    例Xコンデンサー、ＣＭインダクタンス、ＤＭインダクタンス等．
    
    製品特徴
    
    1
    
    EMI/EMC 改善
    
    低周波伝達特性改善；AC 入力線の寄生インダクタンスを低減；ブリッジダイオード内の整流ダイオードの緩和な復帰特性により、AC入力整流後の高周波ノイズを抑制する。
    
    2
    
    コスト削減
    
    入力側のＣＭインダクタンスと X チャッパシタを削減する。普通のＣＭインダクタンス + X コンデンサ + DＭインダクタンスから π 型フィルタ（CLC フィルタ）に変更し、コストダウン出来る。
    
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    整流ブリッジ
    
    製品情報
    
    整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。
    
    製品特徴
    
    1
    
    整流ブリッジ
    
    整流ブリッジはダイオードの一方向導電によって整流する。簡単に言うと、ダイオードは一方向で、順方向導通と逆方向カットオフします。ダイオードの電流は一方向に通過出来るため、AC回路に接続すると、回路内の電流は一方向に流れる、これは「整流」と呼ぶ。
    
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    ショットキー
    
    製品情報
    
    ショットキー整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つショットキー整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。
    
    製品特徴
    
    1
    
    製品特徴
    
    ショットキー整流ブリッジは、より低い電圧とより速いスイッチングの特性あり、高周波や低電圧や大電流の整流回路に効率向上出来て、より低い温度を実現する。
    
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    LowVFブリッジ
    
    製品情報
    
    LOW VF整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。LOW VFは、正方向低い電圧降下の整流ブリッジである。
    
    製品特徴
    
    1
    
    製品特徴
    
    LOW VF整流ブリッジとは、通常の整流ブリッジよりも順方向電圧降下が低いものである、熱量の計算式に従って、 Q = I 2 Rt=Pt=UIt= U 2 t/R= I 2 Rt、電圧が低いほど発熱が小さくなり、対応する有効電力が高くなる。したがって、同じ電力回路アプリケーションにおけるLOW VF整流ブリッジの効率が高く、発熱が少なくなる。
    
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    インバータブリッジ
    
    製品情報
    
    インバーターは、4つの高速回復ダイオードが統合されている、つまり、4つのチップがブリッジ接続用のブラケットにパッケージ化され、4つのピンがある。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、他の二つピンがAC電流入力端子です。ケースはプラスチックでパケージされている。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    インバータの動作周波数が高い（10KHz ~ 70KHz）、PCBA面積が小さい、逆回復時間が75ns、逆回復時間が短い、寄生容量が小さい、EMI 改善にメリットがある。
    
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    モリタブリッジ
    
    製品情報
    
    モリタ機能を内蔵する整流ブリッジであり、つまり回路中の入力電流を検出することによって、電力分配と回路保護を実現する。
    
    製品特徴
    
    1
    
    低温度抵抗係数、広い使用温度範囲（480 ° C以下）
    
    温度抵抗係数が低く、温度ドリフトが小さく、出力電力が相対安定、高精度抵抗を整流ブリッジに内蔵され、ヒートシンクで高精度抵抗が放熱出来る、高精度の温度を低下させ、温度上昇が抵抗値に影響することが減少させる
    
    2
    
    PCB組立プロセスの簡化、組立費削減、高一致性
    
    PCB組立プロセスを簡化し、組立費を削減し、性価比が高い。复雑な外付高精度抵抗組立プロセスと量産时の抵抗値の低一致性と高不良率の問題を改善、パワーの一致性と安定性を向上させる。量産時の一貫性が良くなる。
    
    3
    
    干渉の低減
    
    回路基板上で高精度抵抗がクロス接続、主回路が長すぎ、干渉が強くなる、検出精度のばらつき問題を改善する。
    
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    スイッチブリッジ
    
    製品情報
    
    スイッチングブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ高速スイッチングダイオードが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    スイッチブリッジは、非常に低い順方向電圧降下と非常に高いスイッチング速度であり、その非常に低い損失と非常に高速なスイッチング速度を利用して、電網監視、スマートメーター、機器計器およびその他の分野に広く使用されている
    
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  - ショットキー
    
    ショットキー
    
    製品情報
    
    ワールドはショットキーダイオードに先端なパッケージ　プロセスを採用し、製品の低正方向電圧の特徴で、1 A品から60A品まで持つ。電圧範囲は40V から200Vまでカバーし、電源製品の高効率と高信頼性の要求に合える。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低正方向電圧
    
    2
    
    标题
    
    豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
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    LOW VFショットキー
    
    製品情報
    
    ワールドはLOW VFショットキーダイオードに先端なトレンチプロセスを採用しており、製品は低いVF値で、高温条件で漏れ電流が非常に小さいです。電源の高効率と高信頼性の要求に合える。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低VF値
    
    2
    
    标题
    
    高温条件で漏れ電流が非常に小さい
    
    3
    
    标题
    
    豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
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    高電圧ショットキー
    
    製品情報
    
    ワールドの高電圧ショットキーダイオードのVF値が低く、逆漏れ電流Irが非常に小さく、温度上昇が低いという特徴持っている。また、VRRMの最大値が350V、5 A から40Aまでの電流能力がある、高電圧出力電源の高効率と高信頼性の要求に合える。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低VF値
    
    2
    
    标题
    
    逆漏れ電流IRが非常に小さい
    
    3
    
    标题
    
    豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
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  - なファストリカバリ
    
    ファストリカバリ
    
    製品情報
    
    ワールドのファストリカバリダイオードは、先端のパッケージプロセスで開発したものです。電圧範囲は100V~ 1700Vで、電流範囲は1 A ~ 300Aで、逆回復時間は16ns~500ns です。PFC回路と高周波高電圧電源などに適用できる。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    広い電圧範囲
    
    2
    
    标题
    
    豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
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    Low Trr のスーパーファストリカバリ
    
    製品情報
    
    ワールドLow Trrのファストリカバリダイオードは、非常に短逆回復時間Trrと非常に低逆回復電荷Qrrである、超高速スイッチング実現できる。ハードスイッチング動作のPFC回路と高電圧高周波電源の二次整流回路に適用出来る。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    短Trrと低Qrr
    
    2
    
    标题
    
    小漏電流
    
    3
    
    标题
    
    超高速スイチング
    
    4
    
    标题
    
    スイッチング損失の低減
    
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    Low VFファストリカバリ
    
    製品情報
    
    ワールドLow Trrのファストリカバリダイオードは、低VF値、小漏電流、PFC回路と高周波高電圧回路と二次側整流回路に使用出来る。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低VF値
    
    2
    
    标题
    
    小漏电流
    
    3
    
    标题
    
    超高速スイッチング
    
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    共通陰極或いは共通陽極のファストリカバリ
    
    製品情報
    
    ワールドの共通陰極或いは共通陽極ファストリカバリダイオードは、高一致性、低VF値、短Trr、小漏電流の特性を持ち、高周波ブリッジ整流回路と正負圧出力整流回路と高周波高圧大電流回路に適用出来る。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低VF値
    
    2
    
    标题
    
    短逆回復時間
    
    3
    
    标题
    
    小漏電流
    
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  - スイッチブリッジ
    
    全シリーズ
    
    製品情報
    
    ワールドのスイッチイング　ダイオードは、より速い回復時間と高いスイッチイングスピードを持ち、電源、オーディオ、ビデオ、無線通信、産機など様々な分野で広く使用されている。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    短Trr
    
    2
    
    标题
    
    速いスイッチイング
    
    3
    
    标题
    
    小パケージ、小サイズ
    
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- 保護デバイス
  - TVS
    
    普通型TVS
    
    製品情報
    
    TVS 豊かなラインアップ
    
    製品特徴
    
    1
    
    製品特徴
    
    TVSは高品質のサージアブソーバーである、ダイオードで回路に並列されている（伏安特性）。自然界の雷電誘電と静電気の放電と電子機器カレントサージは、現代の電子システムが直面する厳しい試練です。回路では瞬間の過渡電圧が発生した場合、TVSは雪崩原理を利用して、P 秒級の反応速度で瞬時に分流と限圧を行い、後の回路が損傷しないように保護する。
    
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  - ESD
    
    压敏电阻
    
    製品情報
    
    抗静电器件，ESD。针对主流竞品，我司均有可替代产品，ESD类我司接受定制物料。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半导体）静电抑制器，小型化的TVS，与TVS有着一样的特性和工作方式。只是随着把内部芯片面积的减少，来获得了体积小，电容值小（电容和体积是成正比），封装方式多样的特点。主要应用于一些小型号的便携设备的防静电和抗小型脉冲群的处理。对于ESD TVS 多路防护的产品，也叫阵列产品(IC)。
    
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  - GDT
    
    二电极
    
    製品情報
    
    陶瓷气体放电管，GDT。全系列产品都有，目前正在开发超薄型产品。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    GDT“陶瓷气体放电管”是一种陶瓷封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件，一般分二电极和三电极两种结构。基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时，就引起间隙放电，从而限制了极间的电压，使与放电管并联的其它器件得到保护。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    製品情報
    
    氧化锌压敏电阻，MOV。我司只做贴片类产品SMD-MOV，以及复合功能型产品GMOV。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题1
    
    MOV是一种以氧化锌为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻原件，所谓压敏，就是对电压敏感，当电压达到一定数值的时候，元件开始动作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    製品情報
    
    半导体放电管，TSS。全系列产品都有。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题1
    
    TSS是一种PNPN组件,一个无门电极的自由电压控制的可控硅,当电压超过它的断态峰值电压(或称雪崩电压)时，半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压(或称转折电压)值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，只有在当电流小于维持电流时，组件才复位并恢复到它的高阻抗状态。
    
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- パワーデバイス
  - MOS
    
    SGT MOSFET
    
    製品情報
    
    ワールドのSGT MOSFETは非常に小Rds(on)値と小Qg値と小Ciss値の特性を持ち、また高速なスイッチング動作可能で、製品の温度上昇と高効率の要求に満足できる。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低FOM（RDs(on)×Qg）値
    
    2
    
    标题
    
    スイッチングが速い
    
    3
    
    标题
    
    豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
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    Planar MOSFET
    
    製品情報
    
    ワールドのPlanar MOSFETは、小Rds(on)値と小Ciss値の特性を持ち、また強いEAS なので、電源製品の高効率と高信頼性の要求に合える。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低Rds(on)とCiss，強いEAS
    
    2
    
    标题
    
    豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
    もっと見る
    
    Trench MOSFET
    
    製品情報
    
    ワールドのTrench MOSFETは、小Rds(on)値と小Ciss値の特性を持ち、また高速なスイッチング動作出来るし、強いEAS のパフォーマンス出来るし、短路耐量が長いので、電源製品の高効率と高信頼性の要求に合える。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低FOM（Rds(on)×Qg）値，強いEAS
    
    2
    
    标题
    
    短路耐量が長い，豊かなパッケージ、各種電源要求に満足
    
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    SJMOS
    
    製品情報
    
    沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低的RDs(on)和Ciss，强的EAS性能
    
    2
    
    标题
    
    多种封装，满足各类电源需求
    
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- 第 3 世代半導体
  - SIC
    
    SiC SBD
    
    製品情報
    
    ワールドSiC SBD は、非常に短逆回復時間Trr、高サージカレント、高信頼性、パッケージがPDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247である
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    短Trr
    
    2
    
    标题
    
    高サージカレント
    
    3
    
    标题
    
    速いスイッチイング
    
    4
    
    标题
    
    複数パッケージ
    
    もっと見る
    
    SiC MOSFET
    
    製品情報
    
    ワールドSiC MOSFET は、低オン抵抗速いスイッチイング、高信頼性、パッケージがTOLL、TO-247である
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    低オン抵抗
    
    2
    
    标题
    
    速いスイッチイング
    
    もっと見る
- EMI改善
  - 吸収ダイオード
    
    吸収ダイオード
    
    製品情報
    
    ワールドの吸収ダイオードは、長い記憶時間と小さいIrrの特徴を持って、また長いな緩逆回復電流なので、電源のRCD吸収回路に使える、それで電源製品がより良いEMI特性に備えて、高効率と高信頼性の要求に満足できる
    
    製品特徴
    
    1
    
    标题
    
    SOD-123 FLパッケージ、無負荷損失を低減，
    
    2
    
    标题
    
    10%負荷時、効率を2%~3%向上させ、総合効率を約0.8%向上
    
    3
    
    标题
    
    30MHzから60MHzまでのEMC表現が改善出来る
    
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  - ソフトブリッジ
    
    ソフトブリッジ
    
    製品情報
    
    ダイオード Ta/Tbのソフトリカバリ特性（オン時間 / オフ時間）を最適化することで、高調波発振の発生を大幅に低減する、ブリッジ周辺のEMI対策部品点数を減少できるし、部品用量を低減出来る。
    
    例Xコンデンサー、ＣＭインダクタンス、ＤＭインダクタンス等．
    
    製品特徴
    
    1
    
    1、EMI/EMC 改善
    
    低周波伝達特性改善；AC 入力線の寄生インダクタンスを低減；ブリッジダイオード内の整流ダイオードの緩和な復帰特性により、AC入力整流後の高周波ノイズを抑制する。
    
    2
    
    2、コスト削減
    
    入力側のＣＭインダクタンスと X チャッパシタを削減する。普通のＣＭインダクタンス + X コンデンサ + DＭインダクタンスから π 型フィルタ（CLC フィルタ）に変更し、コストダウン出来る。
    
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PFCアプリケーション

応用概要

力率補正係数回路（PFC）は、非正弦電流波形の歪みに対して対策されるものです。交流回路の電流に電圧波形の瞬時変化の軌跡を追跡させ、電流と電圧を同じフェーズに保つ、電流波形を補正する、同時に昇圧実現出来るものです。

回路図

ソフトブリッジ製品

Type	Current	Voltage	Package	Application	VF @25℃	IR(uA)25℃	IR(mA)125℃	IFSM(A)	Tj（℃）
WRGBU610	6	1000	GBU	90W	1.1@3A	5	0.1	150	-55 to +175
WRD3K610	6	1000	D3K	90W	1.1@3A	5	0.1	150	-55 to +175
WRLBS60M	6	1000	LBS	90	1.1@3A	5	0.1	170	-55 to +175
WRLBS80M	8	1000	LBS	100	1.0@3A	5	0.1	200	-55 to +175
WRGBU810	8	1000	GBU	100W	1.0@4A	5	0.1	180	-55 to +175
WRGBP810	8	1000	GBP	100W	1.0@4A	5	0.1	180	-55 to +175
WRD3K810	8	1000	D3K	100W	1.0@4A	5	0.1	180	-55 to +175
WRRBU810	8	1000	RBU	100W	1.0@4A	5	0.1	180	-55 to +175
WRKBJ1008	10	800	KBJ	100W	1.0@5A	5	0.1	200	-55 to +175
WRGBU1010	10	1000	GBU	120W	1.0@5A	5	0.1	200	-55 to +175
WRD3K1008	10	800	D3K	100	1.0@5A	5	0.1	240	-55 to +175
WRGBU1510-TB	15	1000	GBU	150	1.0@7.5A	5	0.1	240	-55 to +175
WRGBU1510	15	1000	GBU	150W	1.0@7.5A	5	0.1	240	-55 to +175
WRRBU1510	15	1000	RBU	130W	1.0@7.5A	5	0.1	240	-55 to +175
WRKBJ1510	15	1000	KBJ	130W	1.0@7.5A	5	0.1	240	-55 to +175

Low VF ブリッジ製品

Type	Current	Voltage	Package	Application	VF @25℃	VF @125℃	IR(uA)25℃	IR(mA)125℃	IFSM(A)	Tj（℃）
MSB40JL	4	600	MSB	50W	0.95@2A	0.79@2A	5	0.1	150	-55 to +150
LSB40JL	4	600	LSB	60W	0.9@2A	0.76@2A	5	0.1	150	-55 to +150
GBP406L	4	600	GBP	65W	0.95@2A	0.79@2A	10	0.5	80	-55 to +150
RBU406L	4	600	RBU	65W	0.85@2A	0.79@2A	10	0.5	120	-55 to +150
GBU806L	8	600	GBU	100W	0.95@4A	0.82@4A	5	0.1	120	-55 to +150
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RBU806L	8	600	RBU	100W	0.9@4A	0.82@4A	10	0.5	120	-55 to +150
GBU8L06	8	600	GBU	100W	0.90@4A	0.84@4A	5	0.1	120	-55 to +150
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Type	Current(A)	Voltage(V)	Package	Application	VF @25℃	VF@125℃	Trr(ns)	IR(uA)25℃	IR(mA)125℃	IFSM(A)	Tj（℃）
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上記二つのソリューションはワールドの高耐圧 MOSFET を採用すると性能がより優れです。製品リストは以下の通りです。