ダイオード Ta/Tbのソフトリカバリ特性(オン時間 / オフ時間)を最適化することで、高調波発振の発生を大幅に低減する、ブリッジ周辺のEMI対策部品点数を減少できるし、部品用量を低減出来る。
例Xコンデンサー、CMインダクタンス、DMインダクタンス等.
ダイオード Ta/Tbのソフトリカバリ特性(オン時間 / オフ時間)を最適化することで、高調波発振の発生を大幅に低減する、ブリッジ周辺のEMI対策部品点数を減少できるし、部品用量を低減出来る。
例Xコンデンサー、CMインダクタンス、DMインダクタンス等.
整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。
ショットキー整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つショットキー整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。
LOW VF整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。LOW VFは、正方向低い電圧降下の整流ブリッジである。
インバーターは、4つの高速回復ダイオードが統合されている、つまり、4つのチップがブリッジ接続用のブラケットにパッケージ化され、4つのピンがある。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、他の二つピンがAC電流入力端子です。ケースはプラスチックでパケージされている。
モリタ機能を内蔵する整流ブリッジであり、つまり回路中の入力電流を検出することによって、電力分配と回路保護を実現する。
スイッチングブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ高速スイッチングダイオードが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。
ワールドはショットキーダイオードに先端なパッケージ プロセスを採用し、製品の低正方向電圧の特徴で、1 A品 から60A品まで持つ。電圧範囲は40V から200Vまでカバーし、電源製品の高効率と高信頼性の要求に合える。
ワールドはLOW VFショットキーダイオードに先端なトレンチプロセスを採用しており、製品は低いVF値で、高温条件で漏れ電流が非常に小さいです。電源の高効率と高信頼性の要求に合える。
ワールドの高電圧ショットキーダイオードのVF値が低く、逆漏れ電流Irが非常に小さく、温度上昇が低いという特徴持っている。また、VRRMの最大値が350V、5 A から40Aまでの電流能力がある、高電圧出力電源の高効率と高信頼性の要求に合える。
ワールドのファストリカバリダイオードは、先端のパッケージ プロセスで開発したものです。電圧範囲は100V~ 1700Vで、電流範囲は1 A ~ 300Aで、逆回復時間は16ns~500ns です。PFC回路と高周波高電圧電源などに適用できる。
ワールドLow Trrのファストリカバリダイオードは、非常に短逆回復時間Trrと非常に低逆回復電荷Qrrである、超高速スイッチング実現できる。ハードスイッチング動作のPFC回路と高電圧高周波電源の二次整流回路に適用出来る。
ワールドLow Trrのファストリカバリダイオードは、低VF値、小漏電流、PFC回路と高周波高電圧回路と二次側整流回路に使用出来る。
ワールドの共通陰極或いは共通陽極ファストリカバリダイオードは、高一致性、低VF値、短Trr、小漏電流の特性を持ち、高周波ブリッジ整流回路と正負圧出力整流回路と高周波高圧大電流回路に適用出来る。
ワールドのSGT MOSFETは非常に小Rds(on)値と小Qg値と小Ciss値の特性を持ち、また高速なスイッチング動作可能で、製品の温度上昇と高効率の要求に満足できる。
ワールドのPlanar MOSFETは、小Rds(on)値と小Ciss値の特性を持ち、また強いEAS なので、電源製品の高効率と高信頼性の要求に合える。
ワールドのTrench MOSFETは、小Rds(on)値と小Ciss値の特性を持ち、また高速なスイッチング動作出来るし、強いEAS のパフォーマンス出来るし、短路耐量が長いので、電源製品の高効率と高信頼性の要求に合える。
沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点,能满足产品高效和可靠的要求。
ワールドSiC SBD は、非常に短逆回復時間Trr、高サージカレント、高信頼性、パッケージがPDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247である
ワールドSiC MOSFET は、低オン抵抗速いスイッチイング、高信頼性、パッケージがTOLL、TO-247である
ダイオード Ta/Tbのソフトリカバリ特性(オン時間 / オフ時間)を最適化することで、高調波発振の発生を大幅に低減する、ブリッジ周辺のEMI対策部品点数を減少できるし、部品用量を低減出来る。
例Xコンデンサー、CMインダクタンス、DMインダクタンス等.
LOW VF整流ブリッジ製品はブリッジ接続方式で4つ整流シリコンチップが繋がて、4つピンを持つ。 2つのダイオードの負極の接続点は、フルブリッジの出力の「正極」であり、2つのダイオードの正極の接続点は、フルブリッジの出力の「負極」であり、ケースはプラスチックでパケージされている。LOW VFは、正方向低い電圧降下の整流ブリッジである。
整流ブリッジは、ダイオードの一方向導電特性で、AC電流をDC電流に変わる
Type |
Current |
Voltage |
Package |
Application |
VF@25℃ |
VF@125℃ |
IR(uA)25℃ |
IR(mA)125℃ |
IFSM(A) |
Download |
MSB40JL |
4 |
600 |
MSB |
50W |
0.85@2A |
0.79@2A |
10 |
0.5 |
80 |
|
LSB40JL |
4 |
600 |
LSB |
60W |
0.85@2A |
0.79@2A |
10 |
0.5 |
80 |
|
GBP406L |
4 |
600 |
GBP |
65W |
0.85@2A |
0.79@2A |
10 |
0.5 |
80 |
|
RBU406L |
4 |
600 |
RBU |
65W |
0.85@2A |
0.79@2A |
10 |
0.5 |
80 |
|
GBU806L |
8 |
600 |
GBU |
100W |
0.88@4A |
0.82@4A |
10 |
0.5 |
120 |
|
KBJ806L |
8 |
600 |
KBJ |
100W |
0.88@4A |
0.82@4A |
10 |
0.5 |
120 |
|
RBU806L |
8 |
600 |
RBU |
100W |
0.88@4A |
0.82@4A |
10 |
0.5 |
120 |
|
GBU1006L |
10 |
600 |
GBU |
120W |
0.86@5A |
10 |
0.5 |
150 |
||
GBU1506L |
15 |
600 |
GBU |
150W |
0.9@7.5A |
0.84@7.5A |
10 |
0.5 |
250 |
|
KBJ1506L |
15 |
600 |
KBJ |
150W |
0.9@7.5A |
0.84@7.5A |
10 |
0.5 |
250 |
|
RBU1506L |
15 |
600 |
RBU |
150W |
0.9@7.5A |
0.84@7.5A |
10 |
0.5 |
250 |
|
GBJ1506L |
15 |
600 |
GBJ |
150W |
0.9@7.5A |
0.84@7.5A |
10 |
0.5 |
250 |
|
GBJ1508L |
15 |
800 |
GBJ |
150W |
0.85@7.5A |
0.8@7.5A |
10 |
0.5 |
250 |
|
GBJ2506L |
25 |
600 |
GBJ |
250W |
0.96@12.5A |
0.9@12.5A |
10 |
0.5 |
300 |
|
GBU2506L |
25 |
600 |
GBU |
200W |
0.86@12.5A |
10 |
0.5 |
300 |
||
GBJ2508L |
25 |
800 |
GBJ |
250W |
10 |
0.5 |
300 |
|||
DXB2508L |
25 |
800 |
DXT |
300W |
0.91@12.5A |
0.85@12.5A |
10 |
0.5 |
300 |
|
DXT4008L |
40 |
800 |
DXT-5 |
500W |
0.95@20A |
0.90@20A |
10 |
0.5 |
450 |
|
DXT6008L |
60 |
800 |
DXT-5 |
600W |
0.95@30A |
0.90@30A |
10 |
0.5 |
500 |
测试对比数据
|
普通桥 Standard Recovery Bridge |
LOW VF桥 LOW VF Bridge |
竞品(常规) Competitor Bridge(Standard) |
(正向压降)VF (Forward Voltage drop) |
2A@1.1V//4A@1.1V 6A@1.1V//8A@1.1V 10A@1.1V//15A@1.1V |
4A@0.85V//8A@0.88V 10A@0.86V//15A@0.85V 25A@0.86V//40A@0.95V |
2A@1.15V//4A@1.3V 6A@1.2V//8A@1.3V 10A@1.15V//15A@1.1V |
浪涌(IFSM) Surge current Capability (IFSM) |
6A@175A//10A@220A |
8A@120A//15A@250A |
6A@125A//10A@170A |
封装 (Package) |
NBS/MSB/LBS/PLB/KBJL/GBJ ABS/MBF/GBP/GBU//GBL D3K/KBJ/DXT |
MSB/LSB/GBP/RBU/GBU KBJ/GBJ/DXT |
ABS/MBF/GBP/GBU GBL/D3K/KBJ/DXT |
对比数据可以看出,LOW VF整流桥的正向压降更低。